聯亞光電工業股份有限公司，創立於 1997 年 4月，是目前台灣技術最優越之專業磊晶廠，生產GaAs，InP，及 GaN 等相關材料之磊晶片。各種的磊晶片產品是以有機金屬汽相磊晶(MOVPE)技術製造，其中部份磊晶片應用於光纖通信領域，因品質優良而享有極佳之聲譽。
聯亞光電現有約 35 位員工，其中超過 75% 員工為化合物半導體材料磊晶及檢測技術之專業工程師。廠內生產線現有 5 台MOVPE磊晶機，每月可生產約2,000片InP-及GaAs-based材料之磊晶片。所生產的磊晶片受到國內、外光電元件製造廠商的廣泛採用。應用於光纖通信的有 InGaAs/InP PIN檢光器，1310nm LD，1550nm LD，1310nm LED， 980nm Pump-LD和 850nm VCSEL 等主動元件之製造。另外，聯亞光電亦研發生產其他高品質光電磊晶片，應用於可見光 LD 及 LED 領域，例如 650 nm LD、LED 等產品。在藍光、綠光 LED及太陽能電池磊晶片顧客需求殷切及市場快速成長情況下，聯亞光電亦積極進行投資擴廠計畫。
聯亞光電在優秀的技術及經營團隊領導之下，除了提供給客戶品質穩定、準時交貨和具有競爭性價格的產品之外；並且以豐富的磊晶技術經驗，滿足各種研發需求之磊晶服務。不僅為客戶帶來獲利先機，也同時創造客我雙贏之局面。對於未來，則期許以開發領先之磊晶技術，生產品質優良的磊晶片，帶領光通信及其他光電產業蓬勃發展，向前邁進。
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及InP緩衝層所組成，其使用之基材為InP 基板，本公司 標準 的磊晶膜結構為 InP (覆蓋層，0.5 um) / InGaAs(3um) /InP (緩衝層，1um)， 並可提供頂層完成鋅擴散之PIN磊晶片。 |
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‧InGaP/GaAs PIN 光偵檢器
‧InGaP / GaAs 光偵檢器的用途主要是作為光收發模組及DWDM之被動元件。其元件
‧結構主要是由InGaP覆蓋層，GaAs吸光層以及N 型GaAs緩衝層所組成，其使用之基
‧材為GaAs基板，本公司標準的磊晶膜結構為InGaP (覆蓋層，0.2um) / GaAs ( 3um)
‧/N-GaAs( 緩衝層， 0.3um)。
‧上述兩種元件，客戶可依需要更改各層晶膜之厚度及組成。
B.可見光區雷射二極體 (LD) 用磊晶片
‧紅光雷射(650 ~ 670 nm)
‧650 nm紅光雷射是以 InGaP/InAlGaP 多重量子井結構作為主動層，其主要用途是作
‧為DVD 的讀寫頭及雷射 pointer 。
| C.紅外線區雷射二極體 (LD)及發光二極體(LED)用磊晶片 | |
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‧808 nm 雷射 |
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‧980 nm 雷射
‧980 nm雷射是以 InGaAs/AlGaAs單一量子井結構作為主動層並配合 AlGaAs 材料為
‧P-及N-覆蓋層。其使用之基材為GaAs基板，其用途主要是作為EDFA之功率放大源。
‧依作成元件時之共振腔長度不同，有不同之輸出功率特性。
‧1300 nm 發光二極體
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‧1300 nm 發光二極體是以PL 波長在 1310~1340nm的 |
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‧1300 nm 雷射 ‧已完成掩埋的1310nm埋入式異質雷射磊晶片，是以InGaAsP多重量子井結構作 本公司生產的BH-LD磊晶片，相較於傳統PQ-MQW-BH雷射，已能有效改善元件 高溫特性。室溫下之起激電流約為4mA，85oC下之起激電流約為10mA。 |
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‧1550 nm 雷射 ‧已完成掩埋的1550nm埋入式異質雷射磊晶片，是以 InGaAsP多重量子井結構作為主動層，並有P-N-InP以及 P-Fe-N-InP 2種current blocking layer可供選擇。本公司生 產的BH-LD磊晶片，相較於傳統PQ-MQW-BH雷射，已 能有效改善元件高溫特性。室溫下之起激電流約為 4mA，85oC下之起激電流約為10mA。 |
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| D.垂直共振腔面射型雷射二極體(VCSEL)用磊晶片 | |
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E.相關材料 特價區
‧GaAs基板
‧VGF 長晶之2"substrate， 其詳細規格如附加檔案中。
‧價格低於市價、數量有限，意者 請洽詢採購課。
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